跟着空气洁净度要求的提高，工艺对温湿度的要求也越来越高，必须到达一定的温湿度等级。例如在大规模集成电路出产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板资料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。

净化工程的洁净室的温湿度一般来说是根据您的加工工艺要求来断定，在满足加工工艺的条件下，首选需求思考人的舒适感。

直径100微米的硅片，温度上升1度，就导致了0.24微米的线性膨胀，因而一定得有±0.1度的温度恒定，与此同时需求是的湿度值一般低一些，所以人在流汗之后，会对产品呈现污染的状况，尤其是在半导体车间里，这样的车间不要大于25度左右。假如湿度超越导致的问题更加多。相对湿度跳过百分之五十的时分，冷却水管壁上会凝结露水，假设发生在精细设备又或者是电路里，就可能会导致不一样的问题。

相对湿度在一半的时分较容易生锈。不过关于大部分洁净空间里面，希望防备外部的污染状况，得坚持内部的压强需求超越外面的压强。压力差的保持一般应符合下列的一些准则：

1、洁净度层级较高的空间的压强需求超越相近的洁净度层级较低的空间的压强。

2、洁净室的压强要高于非洁净空间的压力。压力的距离的保持依托新风量，这个新风量要能补充在这一压力差下从缝隙漏少掉的风数量。因而压强差的意义就是漏泄(或浸透)风量通过洁净室的各种缝隙时的阻止。

3、连通的洁净室里的门得开向洁净层级相对高的空间内。

关于乱流洁净室由于主要凭仗空气的稀释能力来减缓室内污染的层级，因而主体是采纳换气数量这一问题，而不直接运用速率的理念，不过对室里气体流动速度也有适当的需求。